ON Semiconductor FDN352AP

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

180MOhm

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-1.3A

通道数量

1

电压

30V

元素配置

Single

电流

13A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

180m Ω @ 1.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

150pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.9nC @ 4.5V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

-1.3A

阈值电压

-2V

栅极至源极电压(Vgs)

25V

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-2 V

高度

1.22mm

长度

2.92mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅