ON Semiconductor FDN358P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.5A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

500mW Ta

Turn Off Delay Time

12 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

125MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-1.5A

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

500mW

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

125m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

182pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.6nC @ 10V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

1.5A

阈值电压

-1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

双电源电压

-30V

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

-1.9 V

高度

1.22mm

长度

2.92mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅