ON Semiconductor FDN86246

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta

Turn Off Delay Time

8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

ULTRA-LOW RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

4.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

261m Ω @ 1.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 75V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5nC @ 10V

上升时间

1.1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.9 ns

连续放电电流(ID)

1.6A

阈值电压

3.4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

栅源电压

3.4 V

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

940μm

长度

1.4mm

宽度

2.92mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant