ON Semiconductor FDP036N10A

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

9 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

333W Tc

Turn Off Delay Time

37 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

PowerTrench®

已出版

2010

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.6MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

227W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7295pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

116nC @ 10V

上升时间

54ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

214A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

704A

雪崩能量等级（Eas）

658 mJ

栅源电压

3 V

高度

9.4mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅