ON Semiconductor FDP8870

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

包装/外壳

TO-220AB

引脚数

3

质量

1.8g

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

70 ns

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

4.1MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

160W

额定电流

160A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

160W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

105ns

漏源电压 (Vdss)

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

下降时间（典型值）

46 ns

连续放电电流(ID)

156A

阈值电压

2.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

5.2nF

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

4.1mOhm

最大rds

4.1 mΩ

栅源电压

2.5 V

高度

9.4mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅