ON Semiconductor FDZ191P

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

10 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-UFBGA, WLCSP

引脚数

6

质量

54mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.9W Ta

Turn Off Delay Time

50 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

85MOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

额定电流

-3A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85m Ω @ 1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 10V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

-3A

阈值电压

600mV

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-20V

高度

370μm

长度

1.5mm

宽度

1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅