ON Semiconductor FDZ3N513ZT

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-UFBGA, WLCSP

引脚数

4

质量

42mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.1A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

3.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

Turn Off Delay Time

9.6 ns

操作温度

-55°C~125°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

ESD PROTECTION

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

1W

接通延迟时间

3.1 ns

正向电流

1.1A

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

462m Ω @ 300mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

85pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1nC @ 4.5V

上升时间

1.9ns

Vgs（最大值）

+5.5V, -0.3V

下降时间（典型值）

2.7 ns

反向恢复时间

29 ns

连续放电电流(ID)

1.1A

阈值电压

700mV

峰值反向电流

300μA

最大重复反向电压(Vrrm)

25V

栅极至源极电压(Vgs)

5.5V

漏极-源极导通最大电阻

0.52Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管特性

Schottky Diode (Body)

栅源电压

700 mV

反馈上限-最大值 (Crss)

25 pF

高度

332μm

长度

1mm

宽度

1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准