ON Semiconductor FGA15N120ANTDTU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.4V

Test Conditions

600V, 15A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

186W

额定电流

15A

元素配置

Single

功率耗散

186W

输入类型

Standard

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

30A

反向恢复时间

330ns

连续放电电流(ID)

15A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

漏源击穿电压

1.2kV

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 15A

IGBT类型

NPT和沟槽

闸门收费

120nC

集极脉冲电流（Icm）

45A

Td（开/关）@25°C

15ns/160ns

开关能量

3mJ (on), 600μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

8.5V

最大下降时间 (tf)

180ns

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅