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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥42.646092
10
¥40.232163
100
¥37.954868
500
¥35.806481
1000
¥33.779699
ON Semiconductor FGA40T65UQDF
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- 对比
FGA40T65UQDF
1807-FGA40T65UQDF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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IGBT NPT 650V 80A 231W Through Hole TO-3PN
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FGA40T65UQDF详情
ON Semiconductor FGA40T65UQDF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
质量
6.401g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Test Conditions
400V, 40A, 6 Ω, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2016
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
231W
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
输入类型
Standard
功率 - 最大
231W
集电极发射器电压(VCEO)
1.67V
最大集电极电流
80A
反向恢复时间
89 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.67V @ 15V, 40A
IGBT类型
NPT
闸门收费
306nC
集极脉冲电流(Icm)
120A
Td(开/关)@25°C
32ns/271ns
开关能量
989μJ (on), 310μJ (off)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FGA40T65UQDF拓展信息
ON Semiconductor
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