ON Semiconductor FGAF20N60SMD

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

引脚数

3

质量

6.962g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 20A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

75W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

75W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

反向恢复时间

26.7 ns

接通时间

31 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

109 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

64nC

集极脉冲电流（Icm）

60A

Td（开/关）@25°C

12ns/91ns

开关能量

452μJ (on), 141μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

最大下降时间 (tf)

27ns

高度

26.7mm

长度

15.7mm

宽度

3.2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅