ON Semiconductor FGAF40N60UFTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

引脚数

3

质量

6.962g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 20A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

100W

额定电流

40A

元素配置

Single

功率耗散

100W

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

连续放电电流(ID)

40A

漏源击穿电压

600V

接通时间

67 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

190 ns

闸门收费

77nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

Td（开/关）@25°C

15ns/65ns

开关能量

470μJ (on), 130μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

最大下降时间 (tf)

250ns

高度

26.5mm

长度

15.5mm

宽度

5.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅