ON Semiconductor FGH20N6S2D

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.2V

Current-Collector (Ic) (Max)

28A

Test Conditions

390V, 7A, 25Ohm, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

125W

额定电流

28A

元素配置

Single

功率耗散

125W

输入类型

Standard

功率 - 最大

125W

上升时间

4.5ns

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

28A

反向恢复时间

31 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 7A

闸门收费

30nC

集极脉冲电流（Icm）

40A

Td（开/关）@25°C

7.7ns/87ns

开关能量

25μJ (on), 58μJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅