ON Semiconductor FGPF15N60UNDF
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FGPF15N60UNDF
1807-FGPF15N60UNDF
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3 Full Pack
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IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT
--最小包装量--
FGPF15N60UNDF详情
ON Semiconductor FGPF15N60UNDF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 hours ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
2.27g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 15A, 10 Ω, 15V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
最大功率耗散
42W
元素配置
Single
箱体转运
ISOLATED
输入类型
Standard
功率 - 最大
42W
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
30A
反向恢复时间
82.4 ns
JEDEC-95代码
TO-220AB
接通时间
18.8 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 15A
关断时间-标准值(toff)
69.8 ns
IGBT类型
NPT
闸门收费
43nC
集极脉冲电流(Icm)
45A
Td(开/关)@25°C
9.3ns/54.8ns
开关能量
370μJ (on), 67μJ (off)
栅极-发射极电压-最大值
20V
栅极-发射极Thr电压-最大值
8.5V
最大下降时间 (tf)
12.8ns
高度
16.07mm
长度
10.36mm
宽度
2.74mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FGPF15N60UNDF拓展信息
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