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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.725086
10
¥15.778384
100
¥14.88527
500
¥14.042711
1000
¥13.247838
ON Semiconductor FJAF4310YTU
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- 对比
FJAF4310YTU
1807-FJAF4310YTU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-3P-3 Full Pack
大陆
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Trans GP BJT NPN 140V 10A 3-Pin(3 Tab) TO-3PF Rail
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FJAF4310YTU详情
ON Semiconductor FJAF4310YTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
引脚数
3
质量
6.962g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
140V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Number of Elements
1
hFEMin
50
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2009
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
140V
最大功率耗散
80W
额定电流
10A
频率
30MHz
元素配置
Single
功率耗散
80W
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
30MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
140V
最大集电极电流
10A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
90 @ 3A 4V
最大集极截止电流
10μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 500mA, 5A
转换频率
30MHz
集电极基极电压(VCBO)
200V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
FJAF4310YTU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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