ON Semiconductor FJAF6810TU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

750V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

hFEMin

5

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

750V

最大功率耗散

60W

额定电流

10A

基本部件号

FJAF6810

元素配置

Single

功率耗散

60W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

750V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 6A 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 1.5A, 6A

集电极基极电压(VCBO)

1.5kV

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

14.5mm

长度

15.5mm

宽度

5.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅