ON Semiconductor FJC1963RTF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

引脚数

4

供应商器件包装

SOT-89-3

质量

130.5mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

450mV

Current-Collector (Ic) (Max)

3A

Number of Elements

1

hFEMin

120

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

500mW

额定电流

3A

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

500mW

功率 - 最大

500mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

180 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 150mA, 1.5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅