ON Semiconductor FJD5555TM

工厂交货时间

17 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

hFEMin

20

Number of Elements

1

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

1.34W

终端形式

鸥翼

基本部件号

FJD5555

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

1.34W

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 800mA 3V

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 1A, 3.5A

最大击穿电压

400V

集电极基极电压(VCBO)

1.05kV

发射极基极电压 (VEBO)

14V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅