ON Semiconductor FJN3301RTA

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

质量

240mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Power Dissipation (Max)

300mW

Number of Elements

1

hFEMin

20

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

已出版

2007

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

50V

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

100mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

20 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 500μA, 10mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

10V

连续集电极电流

100mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅