ON Semiconductor FJN3303FBU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

质量

179mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

hFEMin

14

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

650mW

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

BOTTOM

基本部件号

FJN3303

配置

SINGLE

功率 - 最大

650mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

14 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

10μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 500mA, 1.5A

转换频率

4MHz

频率转换

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

关断时间-最大值（toff)

4700ns

接通时间-最大值(ton)

1100ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无