ON Semiconductor FJP3307DTU

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Number of Elements

1

hFEMin

8

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

400V

最大功率耗散

80W

额定电流

8A

元素配置

Single

功率耗散

80W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

5 @ 5A 5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 2A, 8A

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅