ON Semiconductor FJP5027RTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

10

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

800V

最大功率耗散

50W

额定电流

3A

频率

15MHz

基本部件号

FJP5027

元素配置

Single

功率耗散

50W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

15MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 200mA 5V

最大集极截止电流

10μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2V @ 300mA, 1.5A

转换频率

15MHz

集电极基极电压(VCBO)

1.1kV

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

15.7mm

长度

9.9mm

宽度

4.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅