ON Semiconductor FJPF13009H1TU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

引脚数

3

质量

2.27g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Number of Elements

1

hFEMin

6

操作温度

150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

50W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

频率

4MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FJPF13009

元素配置

Single

功率耗散

50W

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

4MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

400V

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

6 @ 8A 5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 3A, 12A

转换频率

4MHz

集电极基极电压(VCBO)

700V

发射极基极电压 (VEBO)

9V

高度

16.07mm

长度

10.36mm

宽度

4.9mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant