注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.073727
10
¥11.39031
100
¥10.745572
500
¥10.137333
1000
¥9.563519
ON Semiconductor FJPF13009H2TU
- 收藏
- 对比
FJPF13009H2TU
1807-FJPF13009H2TU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-220-3 Full Pack
大陆
立即发货

TRANS NPN 400V 12A TO-220F
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FJPF13009H2TU详情
ON Semiconductor FJPF13009H2TU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
2.27g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1V
Number of Elements
1
hFEMin
6
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
400V
最大功率耗散
50W
额定电流
12A
频率
4MHz
基本部件号
FJPF13009
元素配置
Single
功率耗散
50W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
4MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
400V
最大集电极电流
12A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
8 @ 5A 5V
JEDEC-95代码
TO-220AB
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
3V @ 3A, 12A
转换频率
4MHz
集电极基极电压(VCBO)
700V
发射极基极电压 (VEBO)
9V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FJPF13009H2TU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






哦! 它是空的。