ON Semiconductor FJV1845PMTF

生命周期状态

LIFETIME (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

13 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

30mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

120V

Collector-Emitter Saturation Voltage

70mV

Number of Elements

1

hFEMin

200

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2002

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

120V

最大功率耗散

300mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

50mA

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

FJV1845

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

300mW

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

120V

最大集电极电流

50mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

转换频率

110MHz

最大击穿电压

120V

频率转换

110MHz

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

1.04mm

长度

2.9mm

宽度

1.3mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅