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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.137879
10
¥2.960259
100
¥2.792703
500
¥2.634625
1000
¥2.48549
ON Semiconductor FJX992TF
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- 对比
FJX992TF
1807-FJX992TF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SC-70, SOT-323
大陆
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Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FJX992TF详情
ON Semiconductor FJX992TF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
引脚数
3
质量
30mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
120V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-300mV
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
235mW
频率
100MHz
基本部件号
FJX992
元素配置
Single
功率耗散
235mW
增益带宽积
100MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
120V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 1mA, 10mA
最大击穿电压
120V
集电极基极电压(VCBO)
-120V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
1mm
长度
2mm
宽度
1.25mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FJX992TF拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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