ON Semiconductor FMB100

生命周期状态

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底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

质量

36mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Number of Elements

2

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

45V

最大功率耗散

700mW

终端形式

鸥翼

额定电流

500mA

频率

300MHz

基本部件号

FMB100

元素配置

Dual

功率耗散

700mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

300MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 5V

最大集极截止电流

50nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 20mA, 200mA

转换频率

300MHz

最大击穿电压

45V

集电极基极电压(VCBO)

75V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅