注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.760164
10
¥5.43412
100
¥5.12653
500
¥4.836344
1000
¥4.562588
ON Semiconductor FMBA06
- 收藏
- 对比
FMBA06
1807-FMBA06
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT NPN Multi-Chip Trans General Purpose
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FMBA06详情
ON Semiconductor FMBA06重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
2
hFEMin
100
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
80V
最大功率耗散
700mW
终端形式
鸥翼
额定电流
500mA
频率
100MHz
基本部件号
FMBA06
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
700mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 100mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FMBA06拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。