注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.639416
10
¥4.37681
100
¥4.129065
500
¥3.895344
1000
¥3.674854
Diodes Incorporated MMDTA06-7
- 收藏
- 对比
MMDTA06-7
671-MMDTA06-7
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-23-6
大陆
立即发货

TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT26
--最小包装量--
¥
总价: ¥
MMDTA06-7详情
Diodes Incorporated MMDTA06-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
包装/外壳
SOT-23-6
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.28W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MMDTA06
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率 - 最大
900mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
163MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
80V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 10mA 1V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 10mA, 100mA
转换频率
163MHz
最大击穿电压
80V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
4V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
MMDTA06-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated








哦! 它是空的。