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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.736806
10
¥2.581896
100
¥2.435748
500
¥2.297873
1000
¥2.167806
ON Semiconductor FMBA14
- 收藏
- 对比
FMBA14
1807-FMBA14
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

Trans Darlington NPN 30V 1.2A 6-Pin SuperSOT T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FMBA14详情
ON Semiconductor FMBA14重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5V
Number of Elements
2
hFEMin
20000
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
700mW
终端形式
鸥翼
额定电流
1.2A
基本部件号
FMBA14
极性
NPN
元素配置
Dual
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
1.2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20000 @ 100mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 100μA, 100mA
转换频率
200MHz
最大击穿电压
30V
频率转换
1.25MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
10V
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FMBA14拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor






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