ROHM Semiconductor QSX4TR
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QSX4TR
2078-QSX4TR
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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TRANS NPN 30V 2A TSMT6
--最小包装量--
QSX4TR详情
ROHM Semiconductor QSX4TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Current-Collector (Ic) (Max)
2A
Number of Elements
1
hFEMin
270
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1.25W
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
QSX
引脚数量
6
元素配置
Single
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
280MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
270 @ 200mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
370mV @ 75mA, 1.5A
转换频率
280MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
QSX4TR拓展信息
ROHM Semiconductor
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