ON Semiconductor FMBS549

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

供应商器件包装

SuperSOT™-6

hFEMin

100

Number of Elements

2

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-30V

最大功率耗散

700mW

额定电流

-1A

频率

100MHz

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

700mW

功率 - 最大

700mW

增益带宽积

100MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

750mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

35V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅