FMG1G200US60H
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ON Semiconductor FMG1G200US60H

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型号

FMG1G200US60H

utmel 编号

1807-FMG1G200US60H

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Igbt, 200A, 600V, N-channel

起订量

1最小包装量--

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FMG1G200US60H
FMG1G200US60H ON Semiconductor Igbt, 200A, 600V, N-channel

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FMG1G200US60H详情

ON Semiconductor FMG1G200US60H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    7

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • 厂商

    PEI-Genesis

  • Product Status

    活跃

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    7PM-HA, 7 PIN

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    330 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    410 ns

  • Manufacturer Part Number

    FMG1G200US60H

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.73

  • 系列

    *

  • 端子表面处理

    未说明

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    7

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X7

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 元素配置

    Single

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    200 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    600 V

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor FMG1G200US60H.

FMG1G200US60H拓展信息

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