ON Semiconductor FOD817BW

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.400, 10.16mm)

引脚数

4

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Current Transfer Ratio-Min

130% @ 5mA

Power Dissipation (Max)

200mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~110°C

包装

Tube

已出版

2017

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

70V

输出类型

Transistor

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

DC

正向电流

50mA

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

18μs

下降时间（典型值）

18 μs

集电极发射器电压(VCEO)

70V

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

4μs 3μs

反向击穿电压

6V

电流传输比（最大）

260% @ 5mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅