ON Semiconductor FQB7P20TM

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.13W Ta 90W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

QFET®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

690MOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-200V

终端形式

鸥翼

额定电流

-7.3A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3.13W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

690m Ω @ 3.65A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

770pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

110ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

42 ns

连续放电电流(ID)

7.3A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

-200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

29.2A

雪崩能量等级（Eas）

570 mJ

高度

4.83mm

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅