ON Semiconductor FZT3019

生命周期状态

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工厂交货时间

6 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

质量

188mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500mV

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

80V

最大功率耗散

1W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

1A

频率

100MHz

基本部件号

FZT3019

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

100MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

1A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

转换频率

100MHz

最大击穿电压

80V

集电极基极电压(VCBO)

140V

发射极基极电压 (VEBO)

7V

高度

1.6mm

长度

6.5mm

宽度

3.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅