ON Semiconductor H11A617A3SD

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, Gull Wing

引脚数

4

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

40% @ 10mA

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

200mW

电压-隔离度

5300Vrms

输出电压

70V

输出类型

Transistor

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.35V

输入类型

DC

正向电流

50mA

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

18μs

下降时间（典型值）

18 μs

集电极发射器电压(VCEO)

70V

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

2.4μs 2.4μs

反向击穿电压

6V

电流传输比（最大）

80% @ 10mA

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅