ON Semiconductor H11AG1M

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

质量

855mg

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 1mA

Power Dissipation (Max)

260mW

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

UL 认证

电压-隔离度

4170Vrms

输出类型

带基极晶体管

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

260mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.25V

输入类型

DC

光电子器件类型

晶体管输出光耦合器

正向电流

50mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

5μs

下降时间（典型值）

5 μs

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

50mA

反向击穿电压

6V

最大输入电流

50mA

通态电流最大值

0.05A

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 5μs

电流传输比

300%

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅