ON Semiconductor HGT1S20N60A4S9A

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

TO-263AB

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Current-Collector (Ic) (Max)

70A

Test Conditions

390V, 20A, 3Ohm, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

290W

额定电流

70A

元素配置

Single

功率耗散

290W

输入类型

Standard

功率 - 最大

290W

上升时间

12ns

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

70A

电压 - 集射极击穿（最大值）

600V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 20A

闸门收费

142nC

集极脉冲电流（Icm）

280A

Td（开/关）@25°C

15ns/73ns

开关能量

105μJ (on), 150μJ (off)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅