ON Semiconductor HGT1S20N60C3S9A
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HGT1S20N60C3S9A
1807-HGT1S20N60C3S9A
晶体管 - IGBT - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IGBT 600V 45A 164W TO263AB
1最小包装量--
HGT1S20N60C3S9A详情
ON Semiconductor HGT1S20N60C3S9A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
44 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.31247g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.4V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 20A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
151 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
低导通损耗
HTS代码
8541.29.00.95
电压 - 额定直流
600V
最大功率耗散
164W
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
45A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
元素配置
Single
功率耗散
164W
箱体转运
COLLECTOR
输入类型
Standard
接通延迟时间
28 ns
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
45A
接通时间
52 ns
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.8V @ 15V, 20A
连续集电极电流
15A
关断时间-标准值(toff)
388 ns
闸门收费
91nC
集极脉冲电流(Icm)
300A
Td(开/关)@25°C
28ns/151ns
开关能量
295μJ (on), 500μJ (off)
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
9.65mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
HGT1S20N60C3S9A拓展信息
ON Semiconductor
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