ON Semiconductor HUF75329S3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件包装

D2PAK (TO-263AB)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

128W Tc

Turn Off Delay Time

33 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

UltraFET™

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

55V

额定电流

49A

元素配置

Single

功率耗散

128W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

24mOhm @ 49A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1060pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 20V

上升时间

58ns

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

33 ns

连续放电电流(ID)

49A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

55V

输入电容

1.06nF

漏源电阻

24mOhm

最大rds

24 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅