ON Semiconductor HUF76629D3S

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

67 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

UltraFET™

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

电压

100V

元素配置

Single

电流

20A

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

110W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

52m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1285pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

46nC @ 10V

上升时间

28ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

20A

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏极-源极导通最大电阻

0.055Ohm

漏源击穿电压

100V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅