ON Semiconductor HUFA76609D3ST

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

49W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

UltraFET™

已出版

2002

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

100V

额定电流

10A

元素配置

Single

功率耗散

49W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

425pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

18ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

39 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

漏源击穿电压

100V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅