ON Semiconductor J112RLRAG

生命周期状态

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安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

表面安装

NO

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Breakdown Voltage / V

35V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

HTS代码

8541.21.00.95

电压 - 额定直流

35V

最大功率耗散

100mW

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

50mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

J112

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

350mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

CHOPPER

漏源电压 (Vdss)

35V

栅极至源极电压(Vgs)

-35V

漏极-源极导通最大电阻

50Ohm

输入电容

3.5pF

场效应管技术

JUNCTION

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

1V @ 1μA

电阻-RDS(On)

50Ohm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅