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首页 分立半导体产品 晶体管 - JFET J270
J270
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ON Semiconductor J270

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型号

J270

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-J270

商品类别

晶体管 - JFET

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

JFET P-CH 30V 0.35W TO92

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J270
J270 ON Semiconductor JFET P-CH 30V 0.35W TO92

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor J270重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 引脚数

    3

  • 质量

    201mg

  • Breakdown Voltage / V

    -30V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 最大功率耗散

    350mW

  • 额定电流

    -15A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    350mW

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 连续放电电流(ID)

    8.5mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

    2mA @ 15V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    500mV @ 1nA

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: ON Semiconductor J270.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & J270相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Radiation Hardening
    查看对比:
  • J270

    J270

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    30 V

    8.5 mA

    350 mW

    350 mW

    30 V

    No

  • PN5432
    PN5432

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    25 V

    10 mA

    350 mW

    350 mW

    25 V

    No

    J270
    VS
    PN5432
  • PN5434
    PN5434

    ON Semiconductor

    Through Hole

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    25 V

    10 mA

    350 mW

    350 mW

    25 V

    No

    J270
    VS
    PN5434

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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