ON Semiconductor KSA1156OS

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

安装类型

通孔

底架

通孔

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

400V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1V

hFEMin

30

Number of Elements

1

包装

Bulk

操作温度

150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-400V

最大功率耗散

1W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

-500mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

KSA1156

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

功率耗散

1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

1V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 10mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

-400V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

关断时间-最大值（toff)

5000ns

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅