ON Semiconductor KSA1175YBU

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

hFEMin

40

Current-Collector (Ic) (Max)

150mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-50V

最大功率耗散

250mW

额定电流

-150mA

基本部件号

KSA1175

元素配置

Single

增益带宽积

180MHz

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 6V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅