ON Semiconductor KSA1381ESTU

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

工厂交货时间

20 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

质量

761mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-300V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-600mV

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2005

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-300V

最大功率耗散

7W

额定电流

-100mA

频率

150MHz

基本部件号

KSA1381

元素配置

Single

功率耗散

7W

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

150MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-300V

最大集电极电流

-100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA 10V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 2mA, 20mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

300V

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

-300V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

14.2mm

长度

8mm

宽度

3.25mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅