ON Semiconductor KSA614O

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

55V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-150mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电压 - 额定直流

-55V

最大功率耗散

25W

额定电流

-3A

基本部件号

KSA614

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

25W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 500mA 5V

最大集极截止电流

50μA ICBO

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 100mA, 1A

集电极基极电压(VCBO)

-80V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

VCEsat-最大值

0.5 V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅