ON Semiconductor KSA643CYTA

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Number of Elements

1

hFEMin

40

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Box (TB)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

500mW

额定电流

-500mA

基本部件号

KSA643

元素配置

Single

功率耗散

500mW

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 100mA 1V

最大集极截止电流

200nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 50mA, 500mA

集电极基极电压(VCBO)

-40V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅