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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.921197
500
¥0.677352
1000
¥0.564459
2000
¥0.517851
5000
¥0.483974
10000
¥0.450205
15000
¥0.435405
50000
¥0.428123
ON Semiconductor KSA733CGBU
- 收藏
- 对比
KSA733CGBU
1807-KSA733CGBU
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
大陆
立即发货

TRANS PNP 50V 0.15A TO-92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
KSA733CGBU详情
ON Semiconductor KSA733CGBU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
179mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-180mV
Number of Elements
1
hFEMin
40
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2002
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
-50V
最大功率耗散
250mW
端子位置
BOTTOM
额定电流
-150mA
频率
180MHz
基本部件号
KSA733
元素配置
Single
功率耗散
250mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
180MHz
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
150mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 1mA 6V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 10mA, 100mA
转换频率
180MHz
集电极基极电压(VCBO)
-60V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
高度
4.58mm
长度
4.58mm
宽度
3.86mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
KSA733CGBU拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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